| Tech. Node |
Process |
Process Description |
CALIBRE |
ASSURA |
DIVA |
DRACULA |
HERCULES |
Argus |
| 0.13µm |
Mixed-signal/RF |
P-sub,1.2V/3.3V Including RF |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| 0.16µm |
Logic |
P-sub,1.8v/3.3V |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| Mixed-signal/RF |
P-sub,1.8v/3.3V, including RF |
√
|
””
|
””
|
””
|
√
|
”” |
| 0.18µm |
Logic |
0.18, p-sub, 1.8v/3.3V |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| Mixed-signal/RF |
0.18, p-sub,1.8v/3.3V, including RF |
√
|
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
| 0.35µm |
Flatcell |
0.35um 5V SPQM flatcell,0.7*0.7 cell,single metal,4 metal,p-sub,polyside,for 5V |
√
|
√
|
””
|
√
|
”” |
”” |
0.7*0.7Flat cell
Single metal, P-sub, 3.3V/5V Polycide |
√
|
√
|
””
|
√
|
”” |
”” |
0.63*0.63 Flat cell
dual gate oxide, P-sub, 3.5V/5V. |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| Mixed-Signal |
P-sub, 3.3V/5V |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
√
|
0.5FEOL
/0.35BEOL |
Mixed-Signal |
0.5FEOL/0.35BEOL |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| 0.5FEOL/0.35BEOL 1.8fF/um^2 |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| Plain-poly, 3~5V |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| 0.5µm |
Mixed-Signal |
Enhance Analog for 5V |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| P-Sub,5V, with PIP/High P2/LVt/Depletion |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
√
|
| P-Sub,5V, with PIP/High P2/LVt/Depletion 1.8FF Cpip |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| HV |
P-sub,40V/25V process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| P-sub,Deep Nwell 5V process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| P-sub,5V/18V process |
”” |
”” |
”” |
*
|
”” |
”” |
| BCD |
0.5µm 15V(VGS)/15V(VDS) DPTM BCDMOS Process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| 0.5µm 5V(VGS)/15V(VDS) DPTM BCDMOS Process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| 0.5µm 5V(VGS)/25V(VDS) DPTM BCDMOS Process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| 0.5µm 25V(VGS)/25V(VDS) DPTM BCDMOS Process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| 0.5µm 5V(VGS)/40V(VDS) DPTM BCDMOS Process |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| 0.5µm FEOL 0.6µm BEOL |
”” |
”” |
”” |
√
|
”” |
”” |
| P-sub,18V/20V thick_ox BCDMOS process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| P-sub,5V/20V thin_Gox BCDMOS process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| P-sub,5V/40V thin_Gox BCDMOS process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| P-sub,25V/40V thick_Gox BCDMOS process |
√
|
√
|
√
|
√
|
”” |
”” |
| 0.6µm |
Logic |
P-sub,5V,plain poly, before N-ROM |
”” |
”” |
”” |
#
|
”” |
”” |
| P-sub,LV,plain poly, before N-ROM |
”” |
”” |
”” |
#
|
”” |
”” |
| N-sub,5V,N-ROM before plain poly |
”” |
”” |
”” |
#
|
”” |
”” |
| Mixed Signal |
P-sub, 5V, PIP/High P2 |
”” |
”” |
”” |
*
|
”” |
”” |
| P-sub, 5V, PIP/High P2,LVt, Depletion |
”” |
”” |
”” |
*
|
”” |
”” |
| HV |
N-sub, 5V-18V |
”” |
”” |
”” |
*
|
”” |
”” |
| 1.0µm |
MGLV |
N-Sub,1.5-5V |
√
|
”” |
”” |
√
|
”” |
”” |
| N-Sub,3.0-5V |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| HV |
P-sub,5V/40V |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| P-sub,5V/40V, 0.5µm backend, and thick Al2 is option |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| P-sub,5V/25V, 0.5µm backend, and thick Al2 is option(HV GOX 600A) |
√
|
””
|
””
|
√
|
”” |
”” |
| 2.0µm |
36V |
DN, Nitride Cap, 1M |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| DN, Nitride Cap, P-, P+, 1M |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |
| 18V (5µm Tepi) |
DN,SiN Cap, 1M(5µm EPI) |
√
|
”” |
”” |
”” |
”” |
”” |