Mixed-Signal/RF-0.18um
 Overview
      华润上华0.18um工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的新工艺。0.18um逻辑工艺包括通用工艺和低功耗工艺,都能够提供1.8V电压core device,3.3V或者5V 电压IO device。0.18um工艺同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。
      Shrunk工艺可以有效的降低客户成本,同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。CSMC 0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, CSMC 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺。
      华润上华0.18um工艺提供OTP/MTP工艺,OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容,不需要额外增加光刻层次。
 Key Features
    0.18G 0.18LP
Core Voltage Typical 1.8V 1.8V
Core Device Typical VT
Low VT  
 IO Device 3.3V  √
5V
SRAM BItcell(um2)   4.65 4.65
     
  0.18um Process Family
    0.18G 0.18LP
Special Process Mix
RF
OTP/MTP  
Design Technical File
PDK
IP/Library
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