Mixed-Signal/RF-0.18um

0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V G

0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V G

 Overview

华润上华0.18um工艺是基于客户对于Fab兼容目的而开发可广泛应用的工艺。0.18um逻辑工艺可提供1.8V电压core device、3.3V或者5V 电压IO device, 并同时提供Native VT、Medium low VT器件、高性能电容、高精度poly电阻、可变电容器、电感等可选工艺可方便客户电路设计。

Shrunk工艺可以有效的降低客户成本,同时Shrunk工艺的器件特性同不Shrunk工艺非常接近。CSMC 0.162um工艺是0.18um 90% Shrunk工艺, CSMC 0.153um工艺是0.18um 85% Shrunk工艺。

华润上华0.18um工艺提供OTP/MTP工艺,OTP/MTP 工艺同现有单多晶逻辑工艺平台兼容,不需要额外增加光刻层次。

 Key Features
    0.18G
Core Voltage Typical 1.8V
Core Device Typical VT
Low VT
 IO Device 3.3V
5V
SRAM BItcell(um2)   4.65
     
  0.18um Process Family
    0.18G
Special Process Mix
RF
OTP/MTP
Design Technical File
PDK
IP/Library

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0.18µm CMOS EN (3.3V or 5V) 

Overview  
上华提供的0.18µm CMOS EN (3.3V or 5V)工艺拥有极具竞争力的光刻次数和紧凑的设计规则,为DC-DC、LED屏驱动、音频功放、MCU等应用提供了很好的解决方案。

Key Features 
- Single poly, rich metal (Aluminum) options (support 2~6, thin/thick top metal options)
- Hi-Rsh poly resistor, MIM/MOS capacitor, OTP/FT E–fuse and other rich device options
- Full Design Kit support with PDK\CMD\library

Application 
- DC-DC
- LED display
- Audio amplifier
- MCU
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0.18µm e-Flash

Overview  
上华提供的0.18µm e-Flash工艺兼容0.18um logic工艺,提供业界具有竞争力的闪存IP,高可靠性,低功耗和低成本,为智能卡、各类屏接触控制、MCU等应用提供了很好的解决方案。

Key Features 
- Double polys, support 4~6 top metal options
- Industrial competitive flash macro cell size, low voltage, low power operation
- Full Design Kit support with PDK\ std cell\IO Library

Application 
- Smart card
- Touch-screen controller
- MCU

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