核心技术
      技术创新一直是我们孜孜不倦的追求和努力,和您分享我们的成就是我们永远的热情。
      华润上华一直致力于模拟/混合信号制程和功率器件/电路制程的开发,如今已经形成了自己独特的 CMOS/ANALOG, BICMOS,RF/Mixed-Signal CMOS,BCD,功率器件和Memory 工艺平台以及一系列客制化工艺平台。华润上华在功率模拟工艺技术方面具有核心竞争力,推出的0.8µm/1.0µm UHV BCD工艺解决方案为绿色电源和半导体显示领域的产品开发提供了更加有力的支持。
      华润上华是您永远值得信赖的伙伴!

华润上华工艺路线图

 

 

Category Process Available
Standard Analog 0.25µm 0.25µm 5V Salicide Analog
0.35µm 0.35µm 3V/5V Mixed-Signal
0.5µm/0.35µm 0.5µm/0.35µm 5V Mixed-Signal
0.5µm/0.35µm 7V LDO
Power IC 0.18µm 0.18µm AB BCD(7V-24V)
0.18µm DB BCD G2S(7V-80V)
0.18µm DB BCD G3(7V-30V)
0.25µm 0.25µm s-BCD G2(12V-60V)
0.8µm 0.8µm 700V BCD G3S
0.8µm 40V Power Analog
1.0µm 1.0µm 600V HVIC
1.0µm 60V/120V HV
1.0µm 25V/40V HV
Mixed-Signal/RF 0.11µm 0.11µm ULL
0.11µm e-Flash
0.18µm 0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V G
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V G
0.18µm CMOS EN(3.3V or 5V)
0.18µm e-Flash
Power Discrete Normal Trench 0.4µm 60V-100V 8" N/P-ch DMOS
0.35µm 20-30V 8" N/P-ch DMOS
0.2µm 20-40V 8" N/P-ch DMOS
Normal Planar 50-80V 6" N-ch DMOS
60-100V 6" P-ch DMOS
100-200V 6" N-ch DMOS
400-650V 6" N-ch DMOS
800-1200V 6" N-ch DMOS
Advanced PD 30V-45V SGT DMOS
Category Process Available

 

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