核心技术
      技术创新一直是我们孜孜不倦的追求和努力,和您分享我们的成就是我们永远的热情。
      华润上华一直致力于模拟/混合信号制程和功率器件/电路制程的开发,如今已经形成了自己独特的 CMOS/ANALOG, BICMOS,RF/Mixed-Signal CMOS,BCD,功率器件和Memory 工艺平台以及一系列客制化工艺平台。华润上华在功率模拟工艺技术方面具有核心竞争力,推出的0.8µm/1.0µm UHV BCD工艺解决方案为绿色电源和半导体显示领域的产品开发提供了更加有力的支持。
      华润上华是您永远值得信赖的伙伴!

华润上华工艺路线图

 

Category Process Available
Standard Analog 0.35µm 0.35µm 3V/5V Mixed-Signal
0.5µm 0.5µm 5V Mixed-Signal
0.5µm 40V Mixed-Signal
0.5µm 5/12V BiCMOS
0.5µm 5/18V BiCMOS
0.6µm 0.6µm 5V Mixed-Signal
0.6µm 5/12V BiCMOS
0.8µm 0.8µm 5V Mixed-Signal
Power IC 0.18µm 0.18µm 25V BCD
0.25µm 0.25µm 25V BCD
0.5µm 0.5µm 15/25/40/60V BCD
0.5µm 18V HV
1.0µm 1.0µm 700V BCD
1.0µm 25/40V HV
1.5µm  1.5µm 200V SOI
   
Mixed-Signal/RF 0.13µm 0.13µm 1.2V/3.3V G
0.13µm 1.2V/3.3V LP
0.13µm 1.2V/3.3V Mixed-Signal
0.13µm 1.2V/3.3V RF
0.15µm 0.15µm 1.2V/3.3V LV
0.18µm 0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V RF
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V G
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V LP
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V Mixed-Signal
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V G
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V LP
0.18µm OTP
Power Discrete Trench 0.45µm 55-100V 6" N-ch DMOS
0.4µm 20-40V 6" N/P-ch DMOS
0.35µm 20-40V 6" N-ch DMOS
0.4µm 75V 8" N-ch DMOS
0.35µm 20-30V 8" N/P-ch DMOS
0.2µm 20-40V 8" N/P-ch DMOS
1.0µm 3.3-36V 6" TVS
900-1200V Trench NPT IGBT
Planar 50-80V 6" N-ch DMOS
60-100V 6" P-ch DMOS
100-200V 6" N-ch DMOS
400-650V 6" N-ch DMOS
800-1200V 6" N-ch DMOS
Category Process Available

 

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