Power Discrete

      华润上华提供具有广泛应用电压范围(20V-700V)的DMOSFET工艺,沟槽栅已成功应用于传统的VDMOS结构,从而缩小了单元面积并能够获得更多的管芯。

      基于高压大电流VDMOS工艺量产的经验,我们进一步提高,成功提供1200V planar NPT IGBT 和FRD工艺。同时我们也在研发具有高电压高速度的trench IGBT工艺,相对于传统的IGBT工艺,trench IGBT工艺具有更小的Rdson, 更低的功耗和更高的效率。

      另外,华润上华具有丰富的经验生产trench TVS,同时3V-36V的planar TVS已量产,在相同的芯片面积下,它有更高的ESD保护能力,可应用于高端的电路保护。

  Trench   Planar  
  0.45um 55-100V 6" N-ch DMOS
0.4um 20-40V 6" N/P-ch DMOS
0.35um 20-40V 6" N-ch DMOS
0.4um 75V 8" N-ch DMOS
0.35um 20-30V 8" N/P-ch DMOS
0.2um 20-40V 8" N-ch DMOS
1.0um 3.3-36V 6" TVS
  50-80V 6" N-ch DMOS
60-100V 6" P-ch DMOS
100-200V 6" N-ch DMOS
400-650V 6" N-ch DMOS
800-1200V 6" N-ch DMOS
 

 
 
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