Mixed-Signal/RF
      华润上华的模拟信号和RF CMOS工艺与标准的CMOS逻辑工艺完全匹配。
      基于逻辑工艺平台,我们提供0.18µm/0.16µm/0.153µm和0.13µm/0.11µm线宽的模拟信号和RF CMOS工艺。我们的模拟信号和RF CMOS工艺提供一些增进芯片性能的选项,如Deep N-well、Multiple operating voltages (Vt)、MIM capacitors、High poly resistors、(Ultra Thick Top Metal) Inductors、Varactor。
      通过使用华润上华提供的PDK、SPICE、Command files、RC extraction等设计工具,客户可以获得高性能,低成本的设计方案。
 
  0.13µm   0.18µm  
  0.13µm 1.2V/3.3V G
0.13µm 1.2V/3.3V LP
0.13µm 1.2V/3.3V MS
0.13µm 1.2V/3.3V RF

0.15µm LV
  0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V RF
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V G
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V LP
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/3.3V MS
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V G
0.18µm/0.16µm/0.153µm 1.8V/5V LP
 
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